Computing, Telecommunication and Control Информатика, телекоммуникации и управление 2687-0517 7 Static noise margine improving of dual-selective SRAM cell Повышение помехоустойчивости статической запоминающей ячейки с пониженной потребляемой мощностью Romanov Roman gh56jkl@mail.ru 0000-0001-8407-6528 7103063234 E-4229-2017 Alexander S. korotkov@rphf.spbstu.ru Peter the Great St.Petersburg Polytechnic University 10 12 2011 6 138 2 41 48

In this paper considered schematic of dual-selective SRAM cell with low power consumption. The method for improving SNM was proposed.

 SRAM memory cell trigger noise margin